北京,中国

结合一例复审案例谈“技术启示”

结合一例复审案例谈“技术启示”

                                     作者:董文国

 

摘要:在“技术启示”的判断中,不仅应对区别特征本身进行研究,还应对其在发明中所起到的技术作用进行分析,判断其在本发明中所起的作用与相关特征在现有技术中所起到的作用是否相同,不能由于现有技术公开了区别特征本身,就断然认定其给出了技术启示,这样容易犯“事后诸葛亮”的错误。“三步法”中的每一步都不可缺失,技术问题的判断也非常重要,不能在确定区别技术特征之后,不进行技术问题的确定,就认定给出技术启示,这样有违审查指南的相关规定,其由此得出的结论必然不正确。

 

关键词:技术启示 区别特征 技术作用 技术问题

 

绪言

存储器芯片结构的高度复杂,制造工艺相应也非常复杂,工艺步骤对最终效果有显著影响,由于工艺缺陷导致最终产品性能瑕疵的涉及工艺方面的技术问题的发现尤为重要。在这类发明的创造性的审查中,所属领域技术人员的改进动机对技术启示判断尤为关键。而技术启示的判断不应脱离现有技术的教导。本文结合一例复审案例,对如何准确判断“技术启示”给出了一些思路。

 

案情简介

本复审请求涉及申请号为201710733227.0,名称为“一种改善接触孔插塞氧化物凹陷的工艺方法”的发明专利申请(下称本申请)。本申请的申请人为长江存储科技有限责任公司,申请日为2017年08月24日,公开日为2018年02月23日。

经实质审查,国家知识产权局实质审查部门于2019年02月02日发出驳回决定,以本申请权利要求1-7不符合专利法第22条第3款的规定为由驳回了本申请。

驳回决定中引用如下对比文件:

对比文件1:US2015/0200203A1,公开日为2015年07月16日;

对比文件2:CN106684030A,公开日为2017年05月17日。

驳回决定认为:(1)权利要求1与对比文件1的区别技术特征为:1)采用化学机械研磨工艺获得顶层层间介质层光滑平整的表面;2)在所述光滑平整的表面上沉积一层化学机械研磨截止层;为形成顶层选择栅切线进行光刻,具体为,首先在化学机械研磨截止层的表面上形成复合光刻层;然后在需要形成选择栅切线的位置实施光刻;为形成顶层选择栅切线进行刻蚀,具体为,采用常规刻蚀工艺在前述光刻位置形成顶层选择栅切线的沟道,并去除所述复合光刻层以露出所述化学机械研磨截止层的表面;去除多余的顶层选择栅切线氧化物材料,具体为,采用化学机械研磨工艺,将对顶层选择栅切线沟道进行填充时在所述化学机械研磨截止层表面形成的多余的顶层选择栅切线氧化物材料去除,以露出化学机械研磨截止层表面并形成光滑平整的表面;去除所述化学机械研磨截止层;去除多余的顶层选择栅切线氧化物材料,具体为,采用化学机械研磨工艺去除在去除化学机械研磨截止层后多余的、凸出的顶层选择栅切线氧化物材料,直至顶层选择栅切线氧化物材料与顶层层间介质层表面平齐,以获得平整光滑的表面;3)沉积插塞氧化物,具体为,在顶层层间介质层和顶层选择栅切线氧化物材料的表面沉积插塞氧化物,以及在插塞氧化物表面形成氮化硅层。上述区别技术特征1)和3)是本领域的公知常识,上述区别技术特征2)是在对比文件2给出的技术启示下结合本领域的常用技术手段容易想到的。因此,权利要求1相对于对比文件1、对比文件2以及公知常识的结合不具备创造性。(2)从属权利要求2-7的附加技术特征或被对比文件1公开、或被对比文件2公开、或是本领域的公知常识,因此从属权利要求2-7不具备创造性。

申请人(下称复审请求人)对上述驳回决定不服,于2019年04月09日向国家知识产权局提出了复审请求,未修改申请文件。在复审请求书中,复审请求人认为:(1)对比文件1中的division layer pattern 130是指图形,并不是栅切线氧化物。(2)对比文件1没有公开由于层的密度不同而使得接触孔的纵截面形成弯曲的技术问题。因而,权利要求1具有创造性。

经形式审查合格,国家知识产权局于2019年04月25日依法受理了该复审请求,并将其转送至实质审查部门进行前置审查。

实质审查部门在前置审查意见书中认为:(1)氧化物130不光分隔了氧化物层110,还明确分隔开了顶层栅线120,因此氧化物130是对应于本申请的顶层选择栅切线的。(2)对比文件1中形成的栅切线结构中只在沟道135的内部形成有氧化物130,而堆叠层的表面并没有氧化物130,也就是说其最终结构与本申请是一致的,也就是说,在形成后续接触孔的过程中,并不存在顶层的氧化物130和其它层的密度不同而导致腐蚀的时候形成纵截面弯曲的不良后果,且在本领域,往通孔里填充氧化物,一般如对比文件2中所述的技术方案一样,会在通孔以及层的表面都形成氧化物,然后再对其表面形成的氧化物进行去除。也就是说,其去除顶层氧化物的方法,已经被对比文件2公开。因而,坚持驳回决定。

随后,国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。经过充分的阅卷并合议,合议组认为事实已经清楚,可以依法作出审查决定。

合议组认为:首先,对比文件1没有涉及本申请中“避免刻蚀速率不同导致的插塞氧化物的凹陷,进而改善接触孔纵截面的弯曲状情况”的技术问题。其次,对比文件2涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法,在对比文件2中虽然在衬底表面形成了研磨停止层202,但该研磨停止层202在对比文件2中的作用是在后续的平坦化工艺中,与该研磨停止层表面上形成的研磨缓冲层以及浅沟槽内的绝缘材料通过研磨工艺的不同,形成形貌的补偿效果,从而使平坦化工艺完成后浅沟槽内的绝缘材料的平坦度较好。可见,对比文件2中公开的研磨停止层、研磨缓冲层以及绝缘材料的设置以及与之配合的研磨工艺的根本目的是改善平坦化工艺后的浅沟槽内的绝缘材料的平坦度。本申请的权利要求1中包含沉积化学机械研磨截止层的上述区别技术特征在本申请中的根本目的是避免刻蚀速率不同导致的插塞氧化物的凹陷,进而改善接触孔纵截面的弯曲状情况。可见,对比文件2中设置研磨停止层的技术手段与权利要求1的包含设置化学机械研磨截止层的上述区别技术特征的目的是不同的。对比文件2中没有涉及本申请中“避免刻蚀速率不同导致的插塞氧化物的凹陷,进而改善接触孔纵截面的弯曲状情况”的技术问题,也没有给出为解决上述技术问题采取相应技术手段的启示。最后,上述区别技术特征不属于为解决本申请中“避免刻蚀速率不同导致的插塞氧化物的凹陷,进而改善接触孔纵截面的弯曲状情况”的技术问题所采用的常用技术手段,因而不属于本领域中的公知常识,且本申请中通过采用上述区别技术特征中所记载的技术手段,获得了避免刻蚀速率不同导致的插塞氧化物的凹陷,进而改善接触孔纵截面的弯曲状情况的有益的技术效果。

由此可见,相对于驳回决定中引用的对比文件1、对比文件2以及本领域的公知常识,该权利要求1具有突出的实质性特点和显著的进步,因而具有创造性,符合专利法第22条第3款的规定。

 

启示

由上述可见,在创造性的判断中,技术启示的判断尤为重要,而在技术启示的判断中,不仅要考虑技术特征本身,也需要考察该技术特征在本发明中所起到的作用与相关技术特征在对比文件中所起到的作用是否相同,不能仅仅因为对比文件公开了与区别特征相关的技术特征或者技术手段,就必然认为发明由此而不具备创造性。此外,在判断是否存在技术启示时,不应脱离现有技术进行评述,而应立足于现有技术,来判断其是否切切实实给出了技术启示,有无动机进行此种技术改进,否则会陷入“事后诸葛亮”式的判断误区。如果现有技术披露的技术手段在现有技术中所起的作用与区别特征在发明解决技术问题的过程中所起的作用完全不同,则现有技术难以给出将区别特征应用到最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示。进一步地,“技术问题”的判断也非常重要,应根据区别特征进行判断,进而判断现有技术是否给出了利用该技术特征解决相应技术问题的技术启示。既然利用“三步法”进行创造性的判断,那么三步法中的每一步都不可省略,特别是其中技术问题的确定,尤其不能省略,不能在进行区别特征的判断后,跳过“技术问题”的判断,而直接认定给出了技术启示。

 

 

参考文献

  1. 国家知识产权局第185132号复审决定;
  2. 复审委网站

 

Web Design San Francisco